بررسی ویژگیهای ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیتهای دورگهی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
نویسندگان
چکیده مقاله:
Al2O3/PVP nano-hybrid composite samples are synthesized using sol-gel method at 75°C. Weight percent of poly 4-vinyl phenol and aluminum oxide is 0.0, 0.28, 0.56, and 0.84. To study the nano-structural and electrical characteristics, X-ray diffraction, Fourier transfer infrared radiation, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy are used. Dielectric constant of the samples is measured using “GPS 132 A” multi-meter. The results show that the highest amounts of dielectric constant at the frequency of 120 and 1 kHz are related to Al2O3 + 0.28 %wt. PVP(k=35) and Al2O3 + 0.56 %wt. PVP (k=26) nano-composite samples, respectively. Therefore, at the frequency of 120kHz, Al2O3 + 0.28 %wt. PVP nano-composite sample, due to having higher equivalent oxide thickness, less roughness, ohmicproperties, smaller size of nano-crystallites (Scherrer diameter of 45nm), higher dielectric constant, and as a result of less leakage current, is recommended as the gate dielectric for the future of organic field effect transistors.
منابع مشابه
بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
نمونههای پودری نانوکامپوزیت دورگهای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجهی سانتیگراد سنتز شدهاند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگیهای نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بینابسنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونهها با استفاده از روش gps 132 a مح...
متن کاملو مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...
متن کاملبررسی ساختاری و ریزساختاری نانو ذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم – مس تولید شده به روش مکانوشیمیایی
در این پژوهش، نانوذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم- مس (CCTO) به روش مکانو شیمیایی تولید شده است. ترکیب شیمیایی پودر آسیا شده با استفاده از تجزیهی فلورسانس اشعهی X (XRF) و تجزیهی ساختاری کمی وکیفی فازها با پراش اشعهی X (XRD) و با کاربرد روش رتویلد صورت گرفت. افزون بر این، بررسی اندازهی ذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) انجام گرفت. نتایج تجزیهی XRF نشان داد که میزان آلودگی وار...
متن کاملبررسی تئوری و عددی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی خواص اکسیدهای عناصر کمیاب خاکی به عنوان گیت دی الکتریک
نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورکهای به دست آمده با تکنیکهای پراش پرتو ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازهگیری ثابت دی...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 24 شماره 4
صفحات 789- 798
تاریخ انتشار 2017-01
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023